Propriedades do carboneto de silício

Carboneto de silício de - para estabilidade química, alta condutividade térmica, pequeno coeficiente de expansão térmica, boa resistência ao desgaste, além do uso abrasivo, existem muitos outros usos, como: tecnologia especial de aplicação de pó de carboneto de silício na parede interna do impulsor da turbina ou corpo do cilindro, pode melhorar sua resistência ao desgaste e prolongar sua vida útil em 1 - 2 vezes; Usado para fazer materiais à prova de fogo de alta qualidade, terremotos resistentes ao calor, tamanho pequeno, peso leve e alta resistência, efeito de economia de energia é bom. O carboneto de silício de baixa qualidade (contendo cerca de 85% de SiC) é um excelente desoxidante que pode acelerar a produção de aço e controlar facilmente a composição química e melhorar a qualidade do aço. Além disso, o carboneto de silício também é amplamente utilizado na fabricação de hastes de silício para células eletrotérmicas.
A dureza do carboneto de silício é muito alta, a dureza Mourinho é 9,5, perdendo apenas para o diamante mais duro do mundo (nível 10), possui excelentes propriedades de condutividade térmica e é um semicondutor que pode resistir à oxidação em altas temperaturas.
O carboneto de silício tem pelo menos 70 tipos cristalinos. -O carboneto de silício é o isômero mais comum, que é formado em altas temperaturas acima de 2.000 graus e tem uma estrutura cristalina de sistema cristalino hexagonal (minério de fibra de zinco). - O carboneto de silício, uma estrutura de sistema cristalino cúbico semelhante ao diamante [13], é formado em temperaturas abaixo de 2.000 graus. Ao usar catalisadores heterofásicos - o carboneto de silício de - para sua proporção - o carboneto de silício tem uma área maior que a superfície. Existe outro carboneto de silício, μ- O carboneto de silício, o mais estável, pode produzir sons mais agradáveis ​​ao colidir. No entanto, até agora, estes dois tipos de carboneto de silício não foram utilizados comercialmente.
Como a gravidade específica do carboneto de silício é de 3,1g/cm3 e a temperatura de sublimação é relativamente alta (cerca de 2.700 graus), ele é ideal como matéria-prima para rolamentos ou fornos de alta temperatura. A qualquer pressão alcançável, ele não derrete e tem uma reatividade química bastante baixa. Devido à alta condutividade térmica do carboneto de silício -, alta intensidade de campo elétrico destrutivo e alta densidade de corrente, foram feitas tentativas de usá-lo como uma alternativa ao silício, especialmente em células semicondutoras de alta potência. Além disso, o carboneto de silício tem uma forte afinidade com a radiação de microondas e o seu ponto de subida torna-o adequado para aquecer metais.
O carboneto de silício puro é incolor, mas na produção industrial devido à presença de substâncias impuras como o ferro, sua cor costuma variar de marrom a preto. A superfície do cristal tem um brilho de arco-íris de - devido à formação de uma camada protetora de dióxido de silício.
SiC - é um semicondutor que altera a estrutura do nível de energia do material SiC por dopagem e ajusta ainda mais suas propriedades, principalmente usando injeção de íons para dopar A, B, N e outros átomos. Entre eles: - átomos receptores como o Al têm maior probabilidade de substituir a posição do Si na rede do SiC, formando um nível de energia fundamental profundo e produzindo um semicondutor do tipo P -; - átomos doadores como N e P são mais propensos a ocupar a posição da rede cristalina C e formar um nível doador raso para obter um semicondutor do tipo N -. É importante notar que o SiC tem uma ampla faixa de dopagem (1X1014 - 1X1019 cm- 3), que está faltando em outros semicondutores de banda larga, e nesta faixa é fácil realizar dopagem tipo N e tipo P, por exemplo, cristais únicos de SiC 4H - de baixa resistividade após dopagem AI.