Materiais condutores térmicos feitos de carboneto de silício

A condutividade térmica do material SiC, como a maioria dos sólidos dielétricos, depende principalmente da transferência de ondas termoelásticas (chamadas fônons). O coeficiente de condutividade térmica do material SiC depende principalmente de: 1) a quantidade de aceleradores de sinterização, proporção química, propriedades químicas e espessura do limite cristalino correspondente; 2) Tamanho do grão; 3) Tipo e concentração de átomos de impureza no cristal de SiC; 4) Atmosfera de sinterização; 5) Tratamento térmico após sinterização, etc. SiC tem alta condutividade térmica, grande bandgap, alta velocidade de migração de saturação de elétrons e excelente propriedade de campo elétrico de ruptura crítica, seu excelente desempenho geral compensa as deficiências de materiais e dispositivos semicondutores tradicionais em aplicações práticas, em veículos elétricos, chips de comunicação móvel e outros campos tem uma ampla gama de aplicações. Com maior confiabilidade, maior temperatura operacional, tamanho menor e maior capacidade de carga de tensão, o SiC pode ser aplicado a dispositivos de energia, como painel de acionamento principal, motor de carregamento de carro e módulo de potência, o que pode melhorar significativamente a eficiência e estender a durabilidade dos veículos elétricos. Ao mesmo tempo, o SiC tem boa condutividade térmica, e o uso de dispositivos de energia semicondutores de SiC pode reduzir o tamanho da bateria e converter energia de forma mais eficiente, reduzindo assim o custo do dispositivo geral. A cerâmica SiC, como material cerâmico estrutural de alto desempenho, possui excelentes propriedades térmicas e pode ser amplamente utilizada em indústrias de alta temperatura, térmicas e de transferência de calor.